參數(shù)資料
型號： APTGT200TL60G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP6, 12 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 220K
代理商： APTGT200TL60G
APTGT200TL60G
APT
G
T
200T
L
60G
–
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
2- 7
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Q1 to Q4 Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
350
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 200A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 3 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
800
nA
Q1 to Q4 Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
12.2
Coes
Output Capacitance
0.78
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.38
nF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=200A
VCE=300V
2.2
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
115
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
225
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 1.8Ω
55
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
130
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
300
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 1.8Ω
70
ns
Tj = 25°C
0.8
Eon
Turn on Energy
Tj = 150°C
1.75
mJ
Tj = 25°C
5
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 1.8Ω
Tj = 150°C
7
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 6s ; Tj = 150°C
1000
A
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
0.23
°C/W
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PDF描述
APTGT20DDA60T3 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT20DDA60T3 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGT20DSK60T3 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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