參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT200SK170D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 213K
代理商： APTGT200SK170D3G
APTGT200SK170D3G
APT
G
T
200SK170
D3G
–
Rev
1
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1700V
3
mA
Tj = 25°C
2.0
2.5
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 200A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 8 mA
5.2
5.8
6.4
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
18
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
0.6
nF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=200A
VCE=900V
2.3
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
280
Tr
Rise Time
80
Td(off)
Turn-off Delay Time
850
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 200A
RG = 6.8Ω
120
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
300
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
1000
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 200A
RG = 6.8Ω
200
ns
Tj = 25°C
58
Eon
Turn On Energy
Tj = 125°C
78
Tj = 25°C
43
Eoff
Turn Off Energy
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 200A
RG = 6.8Ω
Tj = 125°C
63
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 1000V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
800
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1700
V
Tj = 25°C
750
IRRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1700V
Tj = 125°C
1000
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
200
A
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 200A
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
385
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
490
ns
Tj = 25°C
56
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 125°C
92
C
Tj = 25°C
24
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 200A
VR = 900V
di/dt =3200A/s
Tj = 125°C
48
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT200TL60G 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT20DDA60T3 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT20DDA60T3 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT20DSK60T3 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT20DSK60T3 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGT200SK60TG 功能描述:IGBT 600V 290A 625W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT200U120D4 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single switch Trench IGBT Power Module
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