參數(shù)資料
型號： APTGT200DU60T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 278K
代理商： APTGT200DU60T
APTGT200DU60T
A
P
T
G
T
200
D
U
60
T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 5
Absolute maximum ratings
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
C2
Q2
NTC1
Q1
E
C1
E1
G1
NTC2
E2
G2
C1
C2
NTC2
NTC1
E1
E
G2
E2
G2
E2
G1
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC= 25°C
290
IC
Continuous Collector Current
TC= 80°C
200
ICM
Pulsed Collector Current
TC= 25°C
400
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC= 25°C
625
W
RBSOA
Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
400A @ 550V
VCES = 600V
IC = 200A @ Tc = 80°C
Application
AC Switches
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Solderable terminals for easy PCB mounting
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Dual common source
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT200DU60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200SK170D3G 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200TL60G 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGT20DDA60T3 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT200DU60TG 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200H120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200H120G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200H60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
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