參數(shù)資料
型號： APTGT150TL60G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP6, 12 PIN
文件頁數(shù)： 7/7頁
文件大?。?/td> 220K
代理商： APTGT150TL60G
APTGT150TL60G
APT
G
T
150T
L
60G
–
Rev0
M
ar
ch,
2
009
www.microsemi.com
7- 7
CR5 & CR6 Typical performance curve
Energy losses vs Collector Current
0
1
2
3
4
5
0
50
100
150
200
250
IF (A)
E
rr
(m
J)
VCE = 300V
RG = 3.3
TJ = 150°C
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (ohms)
E
rr
(m
J)
VCE = 300V
IF = 150A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Ther
m
a
lImpedanc
e
(°C/W)
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A)
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5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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