參數(shù)資料
型號： APTGT100H60T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-14
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 279K
代理商： APTGT100H60T
APTGT100H60T
A
P
T
G
T
100
H
60T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
00.5
1
1.522.5
3
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
175
200
00.511.5
2
2.533.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
5
6
7
8
9
101112
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
1
2
3
4
5
6
7
0
25
50
75 100 125 150 175 200
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 10
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
0
1020
304050
60
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 100A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=10
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
T
h
er
m
a
lI
m
p
e
d
a
n
ce
(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT100SK120T 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK120T 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA120T 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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