參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF75H120T
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-14
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 278K
代理商： APTGF75H120T
APTGF75H120T
A
P
T
G
F
75
H
120T
–
R
ev
0
J
anua
ry,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
01
23
4
5
6
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
0
123
45
6
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
5
678
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
4
8
12
16
20
24
28
0
25
50
75
100
125
150
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 7.5
TJ = 125°C
Eon
Eoff
0
5
10
15
20
25
30
35
0
102030
40506070
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 75A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
150
175
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=7.5
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lI
m
p
e
d
a
n
ce
(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF75H120T 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90SK60TG 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGS75X170E3G 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGS75X170E3 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGS75X170E3 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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