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參數(shù)資料
| 型號： | APTGF530U120D4G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, D4, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | APTGF530U120D4G |
APT
G
F530U120D4G
–
Rev0
July,
2008
www.microsemi.com
5- 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
VF (V)
I F
(A)
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lI
m
p
e
da
nc
e
(°C
/W
)
Diode
hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100 200 300 400 500 600 700 800
IC (A)
VCE=600V
D=50%
RG=1.5
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
Fmax
,Op
era
ti
ng
Fre
que
ncy
(k
H
z
)
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF660U60D4 | 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF660U60D4 | 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DDA120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DDA120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75H120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF660U60D4 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single switch NPT IGBT Power Module |
| APTGF660U60D4G | 功能描述:IGBT 600V 860A 2800W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF75DA120T1G | 功能描述:IGBT 1200V 100A 500W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF75DA60D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF75DA60D1G | 功能描述:IGBT 600V 100A 355W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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