參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF30A60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 312K
代理商： APTGF30A60T1G
APTGF30A60T1G
APTG
F30A60T1G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
4 – 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
01
23
4
Ic,
C
o
lle
cto
rCu
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
01
2
34567
89
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic,
C
o
lle
cto
rCu
rr
en
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=60A
Ic=30A
Ic=15A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,C
o
lle
ct
or
t
o
Emit
te
rVolt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=60A
Ic=30A
Ic=15A
0
1
2
3
4
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
ct
or
t
o
Emit
te
rVolt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
llector
to
Emitter
B
reak
dow
n
V
o
lt
ag
e(
N
or
ma
lize
d
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
ct
or
C
u
rr
ent
(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
20406080
100
120
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
at
et
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e(
V
)
IC = 30A
TJ = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
12.5
25
37.5
50
01
23
4
Ic
,
C
o
lle
ct
or
C
u
rr
ent
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
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PDF描述
APTGF30X60BTP2 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF30X60BTP2 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF30X60BTP2G 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF30X60RTP2 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGF30H60T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30H60T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF30TL601G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 30A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF30TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter NPT IGBT Power Module
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