參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF300A120D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D3, 7 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 212K
代理商： APTGF300A120D3G
APTGF300A120D3G
APT
G
F300A120D3G
–
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
3.2
3.7
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 300A
Tj = 125°C
3.9
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 12 mA
5.2
5.8
6.4
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
19
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
1.4
nF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=300A
VCE=600V
3
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
100
Tr
Rise Time
60
Td(off)
Turn-off Delay Time
530
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 200A
RG = 3.3Ω
30
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
110
Tr
Rise Time
70
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 200A
RG = 3.3Ω
40
ns
Eon
Turn On Energy
Tj = 125°C
25
Eoff
Turn Off Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 300A
RG = 3.3Ω
Tj = 125°C
21
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 900V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
2000
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
750
IRRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
1000
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
300
A
Tj = 25°C
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 300A
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
120
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
210
ns
Tj = 25°C
19
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 125°C
53
C
Tj = 25°C
7
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 300A
VR = 600V
di/dt =4500A/s
Tj = 125°C
15
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF300DA120G 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF300DU120 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF300DU120 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF300SK120D3G IGBT
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參數(shù)描述
APTGF300A120G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF300A120T6G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF300DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 420A 2100W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF300DA120G 功能描述:IGBT NPT BOOST CHOP 1200V 400A S RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF300DU120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module
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