參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF180SK60T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 302K
代理商： APTGF180SK60T
APTGF180SK60T
A
PT
G
F180S
K
60T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4- 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
01
2
3
4
Ic
,C
o
lle
ct
o
r
C
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
0
1
2
3456789
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic,
C
o
llec
to
rC
u
rr
en
t
(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=360A
Ic=180A
Ic=90A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
rVo
lt
ag
e
(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=360A
Ic=180A
Ic=90A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
c
to
rt
o
Emit
te
rVo
lt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
lle
ct
o
rt
o
Emit
te
r
B
re
ak
d
o
w
n
Vo
lt
a
g
e(
N
o
rma
liz
ed
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
80
160
240
320
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,DC
Co
lle
ctor
Cur
re
n
t(A)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
100
200
300
400
500
600
700
Gate Charge (nC)
V
GE
,Ga
te
t
o
Emit
te
rVo
lt
a
g
e(
V
)
IC = 180A
TJ = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
01
234
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF180SK60T 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF200U120DG 275 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF250A60D3G IGBT
APTGF250SK60D3G IGBT
APTGF25DSK120T3G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF180SK60TG 功能描述:IGBT 600V 220A 833W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200A120D3G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1400W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200SK120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1400W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200U120D 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
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