參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF180DA60T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 302K
代理商： APTGF180DA60T
APTGF180DA60T
AP
T
G
F1
80
DA
60
T
–
R
ev
1
M
ar
ch
,2
00
4
APT website – http://www.advancedpower.com
2- 6
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 150A
600
V
Tj = 25°C
150
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
3000
A
Tj = 25°C
2.0
2.5
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 180A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 2mA
3
5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20 V, VCE = 0V
±200
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
8.6
Coes
Output Capacitance
0.94
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.8
nF
Qg
Total gate Charge
660
Qge
Gate – Emitter Charge
580
Qgc
Gate – Collector Charge
VGS = 15V
VBus = 300V
IC = 180A
400
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
26
Tr
Rise Time
25
Td(off)
Turn-off Delay Time
150
Tf
Fall Time
30
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
u
6.74
Eoff
Turn-off Switching Energy
v
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 180A
RG = 2.5
W
5.74
mJ
Td(on)
Turn-on Delay Time
26
Tr
Rise Time
25
Td(off)
Turn-off Delay Time
170
Tf
Fall Time
40
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
u
8.6
Eoff
Turn-off Switching Energy
v
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 180A
RG = 2.5
W
7
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
200
A
IF = 200A
1.6
1.8
IF = 400A
1.9
VF
Diode Forward Voltage
IF = 200A
Tj = 125°C
1.4
V
Tj = 25°C
180
trr
Reverse Recovery Time
IF = 200A
VR = 400V
di/dt =400A/s
Tj = 125°C
220
ns
Tj = 25°C
780
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 200A
VR = 400V
di/dt =400A/s
Tj = 125°C
2900
nC
u Eon includes diode reverse recovery
v In accordance with JEDEC standard JESD24-1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF180SK60T 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF180SK60T 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF200U120DG 275 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF250A60D3G IGBT
APTGF250SK60D3G IGBT
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參數(shù)描述
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APTGF180DU60T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF180DU60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF180H60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module
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