參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF15A120T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 315K
代理商： APTGF15A120T1G
APTGF15A120T1G
APTG
F15A120T1G
–
R
ev
0
A
ugus
t,200
7
www.microsemi.com
4 – 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
0123
4
5678
Ic
,C
o
lle
ct
or
C
u
rr
e
nt
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
2
4
6
8
10
12
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Ic
,C
o
lle
ct
or
C
u
rr
e
nt
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
ct
or
C
u
rr
e
nt
(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
20
406080
100
120
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
at
e
t
o
Emit
te
rVo
lt
age
(
V
)
IC = 15A
TJ = 25°C
Ic=30A
Ic=15A
Ic=7.5A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
101112
13141516
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
V
CE
,C
o
lle
ct
or
t
o
Em
it
te
rVolt
ag
e
(
V
)
TJ = 125°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=30A
Ic=15A
Ic=7.5A
0
1
2
3
4
5
6
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
ct
or
t
o
Emit
te
rVolt
ag
e
(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
lle
ct
or
t
o
Emit
te
rB
rea
kdow
n
Volt
ag
e
(N
orm
a
lized
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
5
10
15
20
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic,
D
C
o
llec
tor
C
u
rr
en
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF180DA60T 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF180DA60T 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF180SK60T 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF180SK60T 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF200U120DG 275 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF15H120T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF15H120T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF15H120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF15X120E2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF15X120E2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*