參數(shù)資料
型號： APTGF150A60T3AG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 201K
代理商： APTGF150A60T3AG
APTGF150A60T3AG
APT
G
F150A60T
3AG
–
Rev
0
July,
2008
www.microsemi.com
2 – 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
2
2.5
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 200A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 1.5mA
4.5
5.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
9
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V ; VCE = 25V
f = 1MHz
0.8
nF
QG
Gate charge
VGE= 15V ; VCE=300V
IC=200A
480
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
25
Tr
Rise Time
10
Td(off)
Turn-off Delay Time
130
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 1.5Ω
20
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
25
Tr
Rise Time
11
Td(off)
Turn-off Delay Time
150
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 1.5Ω
30
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
2
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 1.5Ω
Tj = 125°C
6
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
900
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
35
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 125°C
600
A
IF
DC Forward Current
Tc = 100°C
120
A
IF = 120A
1.7
2.3
IF = 240A
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 120A
Tj = 125°C
1.4
V
Tj = 25°C
70
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
140
ns
Tj = 25°C
200
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 120A
VR = 400V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
1380
nC
相關PDF資料
PDF描述
APTGF15H120T1G 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF165A60D1G 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF165DA60D1 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF165DA60D1 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF165SK60D1G 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF150DA120TG 功能描述:IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF150DH120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF150DH120G 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF150DU120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF150DU120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*