參數(shù)資料
型號： APTCV90TL12T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-32
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 239K
代理商： APTCV90TL12T3G
APTCV90TL12T3G
APT
C
V90T
L
12T
3G
–
Rev
0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
4- 9
CR5 & CR6 diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1000
V
Tj = 25°C
100
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1000V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
40
A
IF = 40A
2.5
3
IF = 80A
3.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 40A
Tj = 125°C
2
V
Tj = 25°C
250
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
315
ns
Tj = 25°C
415
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 40A
VR = 667V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
1650
nC
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 40A
VR = 667V
di/dt =1000A/s
Tj = 125°C
1.3
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
1.2
°C/W
CR2, CR3, CR7 & CR8 diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
100
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
40
A
IF = 30A
2.6
3.1
IF = 60A
3.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
300
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
380
ns
Tj = 25°C
360
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 30A
VR = 800V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
1700
nC
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 30A
VR = 800V
di/dt =1000A/s
Tj = 125°C
1.6
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
1.2
°C/W
Temperature sensor NTC (see application note APT0406 on www.microsemi.com for more information).
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
Ω
R25/R25
5
%
B25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
B/B
TC=100°C
4
%
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF180SK60TG 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DA120T1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DDA60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H120TG 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50VDA120T3G 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTD1608LCGCK 功能描述:LED GREEN CLEAR 2SMD 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 顏色:綠色 透鏡顏色:無色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級:8mcd 透鏡樣式/尺寸:圓形，帶圓頂，0.70mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.65V 電流 - 測試:2mA 視角:60° 安裝類型:表面貼裝 波長 - 主:570nm 波長 - 峰值:574nm 特性:- 封裝/外殼:0603（1608 公制） 供應(yīng)商器件封裝:1608 大小/尺寸:1.60mm 長 x 0.80mm 寬 高度（最大值）:1.05mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTD1608LQBC/D 功能描述:LED BLUE CLEAR SMD 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 顏色:藍(lán)色 透鏡顏色:無色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級:20mcd 透鏡樣式/尺寸:圓形，帶圓頂，0.70mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.65V 電流 - 測試:2mA 視角:40° 安裝類型:表面貼裝 波長 - 主:465nm 波長 - 峰值:460nm 特性:- 封裝/外殼:0603（1608 公制） 供應(yīng)商器件封裝:1608 大小/尺寸:1.60mm 長 x 0.80mm 寬 高度（最大值）:1.05mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTD1608LSECK/J3-PF 功能描述:Red 625nm LED Indication - Discrete 1.8V 0603 (1608 Metric) 制造商:kingbright 系列:HELI2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 顏色:紅 透鏡顏色:無色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級:50mcd 透鏡樣式/尺寸:圓形，帶圓頂 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.8V 電流 - 測試:2mA 視角:60° 安裝類型:表面貼裝 波長 - 主:625nm 波長 - 峰值:640nm 特性:- 封裝/外殼:0603（1608 公制） 供應(yīng)商器件封裝:2-SMD 大小/尺寸:1.60mm 長 x 0.80mm 寬 高度（最大值）:1.10mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTD1608LSECK/J4-PF 功能描述:Orange 605nm LED Indication - Discrete 1.8V 0603 (1608 Metric) 制造商:kingbright 系列:HELI2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 顏色:橙 透鏡顏色:無色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級:150mcd 透鏡樣式/尺寸:圓形，帶圓頂 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.8V 電流 - 測試:2mA 視角:60° 安裝類型:表面貼裝 波長 - 主:605nm 波長 - 峰值:611nm 特性:- 封裝/外殼:0603（1608 公制） 供應(yīng)商器件封裝:2-SMD 大小/尺寸:1.60mm 長 x 0.80mm 寬 高度（最大值）:1.10mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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