參數(shù)資料
型號(hào)： APTC60SKM24T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 95 A, 600 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 306K
代理商： APTC60SKM24T1G
APTC60SKM24T1G
APT
C
60SKM24T
1G
–
Re
v0
Au
gus
t,2007
www.microsemi.com
6 – 6
TJ=25°C
TJ=150°C
1
10
100
1000
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
VSD, Source to Drain Voltage (V)
I DR
,Re
ver
se
Dr
ai
n
Cu
rr
ent
(A)
Source to Drain Diode Forward Voltage
Delay Times vs Current
td(on)
td(off)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20406080 100 120 140 160
ID, Drain Current (A)
t d(
o
n
)an
d
t
d(of
f)(n
s)
VDS=400V
RG=2.5
TJ=125°C
L=100H
Rise and Fall times vs Current
tr
tf
0
10
20
30
40
50
60
70
0
20
40
60
80 100 120 140 160
ID, Drain Current (A)
t r
an
d
t
f(ns)
VDS=400V
RG=2.5
TJ=125°C
L=100H
Switching Energy vs Current
Eon
Eoff
0
1
2
3
4
0
20
40
60
80 100 120 140 160
ID, Drain Current (A)
Sw
it
ch
ing
En
er
gy
(
m
J)
VDS=400V
RG=2.5
TJ=125°C
L=100H
Eon
Eoff
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
Swi
tchi
n
g
E
n
er
gy
(m
J)
Switching Energy vs Gate Resistance
VDS=400V
ID=95A
TJ=125°C
L=100H
hard
switching
ZCS
ZVS
0
50
100
150
200
250
300
10 20 30 40 50 60 70 80 90
ID, Drain Current (A)
Fr
eque
nc
y(
kH
z)
Operating Frequency vs Drain Current
VDS=400V
D=50%
RG=2.5
TJ=125°C
TC=75°C
“COOLMOS comprise a new family of transistors developed by Infineon Technologies AG. “COOLMOS” is a trademark of Infineon
Technologies AG”.
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTC60TDUM35P 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC60TDUM35P 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC80A15SCT 28 A, 800 V, 0.15 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC80A15SCT 28 A, 800 V, 0.15 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC80AM75SC 58 A, 800 V, 0.075 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTC60SKM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APTC60TAM21SCTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:116A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 88A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:580nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13000pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTC60TAM24TPG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Triple phase leg Super Junction MOSFET Power Module
APTC60TAM35P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Super Junction MOSFET Power Module
APTC60TAM35PG 功能描述:MOSFET PWR MOD 3PHASE LEG SP6-P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
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