參數(shù)資料
型號(hào)： APT80GP60JDQ3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 230K
代理商： APT80GP60JDQ3
050-7442
Rev
A
6-2005
APT80GP60JDQ3
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2 For Combi devices, I
ces includes both IGBT and FRED leakages
3 See MIL-STD-750 Method 3471.
4 E
on1 is the clam ped inductive turn-on-energy of the IGBT only, without the effect of a commutating diode reverse recovery current
adding to the IGBT turn-on loss. (See Figure 24.)
5 E
on2 is the clamped inductive turn-on energy that includes a commutating diode reverse recovery current in the IGBT turn-on switching
loss. (See Figures 21, 22.)
6 E
off is the clamped inductive turn-off energy measured in accordance with JEDEC standard JESD24-1. (See Figures 21, 23.)
APT Reserves the right to change, without notice, the specications and information contained herein.
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
C
ies
C
oes
C
res
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on1
E
on2
E
off
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on1
E
on2
E
off
Test Conditions
Capacitance
V
GE = 0V, VCE = 25V
f = 1 MHz
Gate Charge
V
GE = 15V
V
CE = 300V
I
C = 80A
T
J = 150°C, RG = 5, VGE =
15V, L = 100H,V
CE = 600V
Inductive Switching (25°C)
V
CC = 400V
V
GE = 15V
I
C = 80A
R
G = 5
T
J = +25°C
Inductive Switching (125°C)
V
CC = 400V
V
GE = 15V
I
C = 80A
R
G = 5
T
J = +125°C
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate-to-Emitter Plateau Voltage
Total Gate Charge 3
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector ("Miller") Charge
Switching Safe Operating Area
Turn-on Delay Time
Current Rise Time
Turn-off Delay Time
Current Fall Time
Turn-on Switching Energy 4
Turn-on Switching Energy (Diode) 5
Turn-off Switching Energy 6
Turn-on Delay Time
Current Rise Time
Turn-off Delay Time
Current Fall Time
Turn-on Switching Energy 4 4
Turn-on Switching Energy (Diode) 55
Turn-off Switching Energy 6
MIN
TYP
MAX
9840
735
40
7.5
280
65
85
330
29
40
115
80
795
1535
1200
29
40
150
85
795
2155
1690
UNIT
pF
V
nC
A
ns
J
ns
J
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
UNIT
°C/W
gm
Volts
MIN
TYP
MAX
.27
.60
29.2
2500
Characteristic
Junction to Case
(IGBT)
Junction to Case
(DIODE)
Package Weight
RMS Voltage (50-60hHz Sinusoidal Wavefomr Ffrom Terminals to Mounting Base for 1 Min.)
Symbol
RθJC
W
T
V
Isolation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT80GP60JDQ3 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTC60AM35SCT 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC60AM35SCT 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC60DAM35T1G 72 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC60DHM45T1G 49 A, 600 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT80M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT80M60J_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT80SM120B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT80SM120J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT80SM120S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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