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參數(shù)資料
| 型號： | APT75GN120JDQ3 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 124 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 448K |
| 代理商： | APT75GN120JDQ3 |
050-7618
Rev
C
10-2005
APT75GN120JDQ3
400
350
300
250
200
150
100
50
0
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
TJ = 175°C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
Q
rr,
REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
TJ = 125°C
VR = 800V
TJ = 125°C
VR = 800V
TJ = 125°C
VR = 800V
T
J = 175°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
30A
60A
120A
30A
60A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
350
300
250
200
150
100
50
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETE
RS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
120A
60A
30A
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT75GT120JR | 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JU3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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| APT8018JNFR | 40 A, 800 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT8018JN | 40 A, 800 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| APT75GN120JR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| APT75GN120L | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT75GN120LG | 功能描述:IGBT 1200V 200A 833W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT75GN60B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
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