參數(shù)資料
型號(hào)： APT60M80L2VR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 65 A, 600 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-264MAX, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 164K
代理商： APT60M80L2VR
050-5991
Rev
B
6-2004
Typical Performance Curves
APT60M80L2VR
TO-264 MAXTM(L2VFR) Package Outline
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
Switching Energy
Drain Current
DrainVoltage
GateVoltage
T
J125°C
10%
0
t
d(off)
90%
t
f
90%
Drain Current
DrainVoltage
GateVoltage
T
J125°C
10%
t
d(on)
90%
5%
t
r
5%
10%
Switching Energy
ID
D.U.T.
VDS
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
APT60DF60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT60M80L2VRG 65 A, 600 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT60M80L2VR 65 A, 600 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT75GN120JDQ3 124 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GT120JR 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GT120JU3 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT60M80L2VR_04 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V㈢ MOSFET
APT60M80L2VRG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT60M90BFN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)DSS | 63A I(D)
APT60M90DN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | CHIP
APT60M90JN 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
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