參數(shù)資料
型號(hào)： APT60GF60JU2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 526K
代理商： APT60GF60JU2
APT60GF60JU2
A
PT
60G
F60J
U
2–
R
ev
0
A
pr
il
,2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2- 8
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 0.5mA
600
V
Tj = 25°C
80
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
2000
A
Tj = 25°C
2.0
2.5
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 60A
Tj = 125°C
2.8
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 500A
3
4
5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
±100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
3125 3590
Coes
Output Capacitance
310
450
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
180
310
pF
Qg
Total gate Charge
257
410
Qge
Gate – Emitter Charge
19
30
Qgc
Gate – Collector Charge
VGS = 15V
VBus = 300V
IC = 60A
120
180
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
20
40
Tr
Rise Time
95
190
Td(off)
Turn-off Delay Time
315
470
Tf
Fall Time
Resistive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 300V
IC = 60A
RG = 5
W
245
490
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
26
50
Tr
Rise Time
63
125
Td(off)
Turn-off Delay Time
395
590
Tf
Fall Time
68
140
ns
Ets
Total switching Losses
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 60A
RG = 5
W
3.4
7
mJ
Td(on)
Turn-on Delay Time
25
50
Tr
Rise Time
59
120
Td(off)
Turn-off Delay Time
430
650
Tf
Fall Time
65
130
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
1.6
3.2
Eoff
Turn-off Switching Energy
2.4
4.8
Ets
Total switching Losses
Inductive Switching (150°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 60A
RG = 5
W
4.0
8.0
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GN120J 124 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT77H60J 77 A, 600 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8014L2FLL 52 A, 800 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT94N65B2C3 94 A, 650 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTCV90TL12T3G 80 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APT60GF60JU3 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT60GL120JU2 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APT60GL120JU2_10 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP?? Boost chopper Trench Field Stop IGBT4 Power module
APT60GL120JU3 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP Buck chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APT60GL120JU3_10 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP Buck chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module
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