參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GT60BRDQ2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 256K
代理商： APT50GT60BRDQ2
052-6272
Re
v
C
6-2008
APT50GT60BRDQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic/TestConditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 111°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F
(AV)
I
F
(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic/TestConditions
I
F = 50A
Forward Voltage
I
F = 100A
I
F = 50A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.1
2.7
1.8
APT50GT60BRDQ2(G)
40
63
320
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specified.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
22
-
25
-
35
-
3
-
160
-
480
-
6
-
85
-
920
-
20
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
TestConditions
I
F = 40A, diF/dt = -200A/s
V
R = 400V, TC = 25°C
I
F = 40A, diF/dt = -200A/s
V
R = 400V, TC = 125°C
I
F = 40A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 400V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
Z
θJC
,THERMAL
IMPED
ANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE24a.MAXIMUMEFFECTIVETRANSIENTTHERMALIMPEDANCE,JUNCTION-TO-CASEvs.PULSEDURATION
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.05
FIGURE 24b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
0.289
0.381
0.00448
0.120
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp(°C)
Case temperature(°C)
D = 0.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50M60JVR 63 A, 500 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT50M60JVR 63 A, 500 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT50M65LFLL 67 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT50M65LFLLG 67 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT50M65LFLL 67 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT50GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT 600V 110A 446W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT50GT60BRG 功能描述:IGBT 600V 110A 446W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT50GT60SR 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT50GT60SRG 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT50M38JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*