參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GN60BDQ2
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 326K
代理商： APT50GN60BDQ2
050-7613
Rev
B
7-2005
APT50GN60BDQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
5,000
1,000
500
100
50
10
160
140
120
100
80
60
40
20
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100 200
300
400 500
600
700
C
ies
C
res
C
0es
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10
20
30
40
50
60
70
80
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 4.3
110
50
10
6
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
D = 0.9
0.212
0.198
0.00332
0.115
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (°C)
Case temperature. (°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GN60BDQ2G 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT50GS60BRDL 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT50GT60BRDQ1G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT50GT60BRDQ1G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT50GT60BRDQ1 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
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參數(shù)描述
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APT50GN60S 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
APT50GN60SDQ2 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
APT50GN60SDQ2G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
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