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參數資料
| 型號： | APT50GF60JCU2 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 214K |
| 代理商： | APT50GF60JCU2 |
APT50GF60JCU2
APT
50GF60JCU2
–
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
6- 6
Typical SiC chopper diode Performance Curve
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lIm
p
e
da
nc
e
(
°C
/W)
Forward Characteristics
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
TJ=175°C
0
10
20
30
40
0
0.5
11.5
22.5
33.5
VF Forward Voltage (V)
I F
Forwa
rd
Current
(A)
Reverse Characteristics
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
TJ=175°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
200
300
400
500
600
700
800
VR Reverse Voltage (V)
I R
Revers
e
Cu
rren
t(
A)
Capacitance vs.Reverse Voltage
0
200
400
600
800
1
10
100
1000
VR Reverse Voltage
C
,C
a
pa
cit
a
nce
(
p
F)
ISOTOP is a registered trademark of ST Microelectronics NV
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GP60JDQ2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP60JDQ2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP90B | 100 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT60GF60JU2 | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120J | 124 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT50GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT50GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT50GF60LRD | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT50GL60BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| APT50GLQ65JU2 | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 |
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