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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT20M40BFN |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 83 A, 200 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 558K |
| 代理商： | APT20M40BFN |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT8016DFN | 47 A, 800 V, 0.16 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT802R8AN | 4.5 A, 800 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| APT4080CN | 8 A, 400 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT4030CN | 15 A, 400 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT4080AN | 9 A, 400 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT20M40BVR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT20M40BVRG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 59A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT20M40DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
| APT20M40HVR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-258 |
| APT20M40JN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 77A I(D) |
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