參數(shù)資料
型號： APT20GT60BRDQ1
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： APT20GT60BRDQ1
052-6265
Re
v
C
6-2008
APT20GT60BRDQ1(G)
T
J =125°C
V
R=400V
7.5A
15A
30A
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
T
J = 175°C
Duty cycle = 0.5
T
J =175°C
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
35
30
25
20
15
10
5
0
C
J,
JUNCTION
CAP
A
CIT
ANCE
K
f,D
YNAMIC
P
ARAMETERS
(pF)
(Nor
maliz
ed
to
1000A/
s)
I F(A
V)
(A)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure29.DynamicParametersvs.JunctionTemperature
Figure30.MaximumAverageForwardCurrentvs.CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure31.JunctionCapacitancevs.ReverseVoltage
Q
rr
,REVERSE
RECO
VER
Y
CHARGE
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECO
VER
Y
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECO
VER
Y
TIME
(A)
(ns)
T
J =125°C
V
R=400V
30A
7.5A
15A
60
50
40
30
20
10
0
700
600
500
400
300
200
100
0
140
120
100
80
60
40
20
0
25
20
15
10
5
0
1
2
3
4
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
T
J =125°C
V
R=400V
30A
15A
7.5A
Q
rr
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure25.ForwardCurrentvs.ForwardVoltage
Figure26.ReverseRecoveryTimevs.CurrentRateofChange
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure27.ReverseRecoveryChargevs.CurrentRateofChange
Figure28.ReverseRecoveryCurrentvs.CurrentRateofChange
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PDF描述
APT20GT60BR 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT20GT60KR 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT20M11JLL 176 A, 200 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT20M19JVR 112 A, 200 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT20M19JVR 112 A, 200 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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