參數(shù)資料
型號(hào)： APL501P
元件分類： JFETs
英文描述： 43 A, 500 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HERMETIC SEALED, PPACK-4
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： APL501P
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4,895,810
5,045,903
5,089,434
5,182,234
5,019,522
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4,748,103
5,283,202
5,231,474
5,434,095
5,528,058
APL501P
050-5898
Rev
-
8-2001
P-Pack Package Outline
29.34 (1.155)
29.08 (1.145)
35.81 (1.41)
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51.05 (2.01)
50.55 (1.99)
3.43 (.135)
2.92 (.115)
(4-Places)
11.63 (.458)
11.13 (.438)
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41.02 (1.615)
3.43 (.135)
2.92 (.115)
(4-Places)
5.33 (.210)
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1.40 (.055)
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9.27 (.365)
8.64 (.340)
.635 (.025)
.381 (.015)
4.39 (.173)
4.14 (.163)
(4 Places)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
28.70 (1.130)
28.45 (1.120)
4.06 (.160)
3.81 (.150)
(5 Places)
10.92 (.430)
10.67 (.420)
Drain
Gate
Source
Sense
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT10011R5KN 1.5 A, 1000 V, 11.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT10023JLL 36 A, 1000 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT1004RKN 3.6 A, 1000 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT1004R2KN 3.5 A, 1000 V, 4.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT100GF60JR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APL502B2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 58A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
APL502B2G 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APL502J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APL502L 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:LINEAR MOSFET
APL502LG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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