參數(shù)資料
型號(hào)： AP9T19GH
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 33 A, 12 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： AP9T19GH
AP9T19GH/J
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
012
345
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Drain
Cu
rre
n
t(A)
5.0V
4.5V
3.5V
2.5V
V G =1.5V
T C =25
o C
0
10
20
30
40
50
60
70
012
3
45
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Drain
Cu
rre
n
t(A)
T C = 150
o C
5.0V
4.5V
3.5V
2.5V
V G =1.5V
12
16
20
24
123
45
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(
ON)
(m
ΩΩΩΩ
)
I D =10 A
T C =25
o C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
R
DS(
ON)
I D =20 A
V G =4.5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
Normalize
d
V
GS(
th)
(V
)
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
(A
)
T j =25
o C
T j =150
o C
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PDF描述
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