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參數(shù)資料
| 型號： | AP9962H |
| 廠商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| 中文描述： | N溝道增強模式 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | AP9962H |
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
AP9962H/J
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
V
DS
=20V
V
DS
=25V
V
DS
=32V
I
D
=20A
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
90%
V
GS
10%
Q
V
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
Q
G
Charge
10
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(
T
C
=25
o
C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
N
t
)
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thjc
+ T
C
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP9962J | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9972GI | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9972GR | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9973J | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9973H | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AP9962J | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9962M | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9963AGP-HF | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9963AGS-HF | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9963GI-HF | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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