參數(shù)資料
型號： AP9928GEO
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： 5000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： AP9928GEO
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
AP9928GEO
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(
T
A
=25
o
C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
t
)
P
DM
Duty Factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thja
+ T
a
R
thja
=208
o
C/W
t
T
0.02
0.05
0.1
0.2
Duty factor = 0.5
Single Pulse
0.01
0
2
4
6
8
0
5
10
15
20
25
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
I
D
= 5A
V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
DS
=20V
10
100
1000
1
7
13
19
25
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
90%
V
GS
10%
Q
V
G
5V
Q
GS
Q
GD
Q
G
Charge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP9930GM 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9930M 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT
AP9934GM 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9962H N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9962J N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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參數(shù)描述
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