參數(shù)資料
型號： AP9926GO
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： 4600 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： AP9926GO
Fig 5. Maximum Drain Current v.s.
Case Temperature
Fig 6. Typical Power Dissipation
Fig 7. Maximum Safe Operating Area
Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance
AP9926GO
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
(V)
I
D
(
T
C
=25
o
C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t , Pulse Width (s)
N
t
)
P
DM
Duty Factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thja
+ T
a
R
thja
=208
o
C/W
t
T
0.02
0.05
0.1
0.2
Duty Factor = 0.5
Single Pulse
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
50
100
150
T
c
, Case Temperature (
o
C)
P
D
(
0
1
2
3
4
5
6
25
50
75
100
125
150
T
c
, Case Temperature (
o
C)
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP9926M N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9926O N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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