參數(shù)資料
型號： AP3310J
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
中文描述： P溝道增強(qiáng)型
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： AP3310J
Advanced Power
Electronics Corp.
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
▼
Simple Drive Requirement
2.5V Gate Drive Capability
BV
DSS
R
DS(ON)
I
D
-20V
150m
Ω
-10A
▼
Description
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
℃
I
D
@T
A
=100
℃
I
DM
P
D
@T
A
=25
℃
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Units
V
V
A
A
A
W
W/
℃
T
STG
T
J
℃
℃
Symbol
Value
5.0
110
Unit
℃
/W
℃
/W
Rthj-c
Rthj-a
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Max.
Data and specifications subject to change without notice
201225023
AP3310H/J
Rating
- 20
± 12
-10
0.01
25
-55 to 150
-55 to 150
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
1
-6.2
-24
Parameter
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Thermal Data
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
, low on-resistance and cost-effectiveness.
G
D
S
GDS
TO-252(H)
GD
S
TO-251(J)
This device is suited for low voltage and battery power
applications.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP3310H P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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AP3402GEJ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP3403GH P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP3403GJ P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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