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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AP28G45GEM |
| 廠商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 450 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | LEAD FREE, SOP-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | AP28G45GEM |
Fig 7. Typical Capacitance Characterisitics Fig 8. Maximum Pulse Collector Current
Fig 9. Switching Time Test Circuit
Fig 10. Switching Time Waveform
Fig 11. Gate Charge Test Circuit
Fig 12. Gate Charge Waveform
AP28G45GEM
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
CE
V
GE
10%
90%
TO THE
OSCILLOSCOPE
-
+
5V
C
G
E
V
CE
V
GE
R
G
R
C
V
CC
=200 V
10
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
V
CE
, Collector-Emitter Voltage (V))
C
f=1.0MHz
Cies
Coes
Cres
V
CC
=360V
TO THE
OSCILLOSCOPE
-
+
C
G
V
CE
V
GE
I
C
I
G
1~3mA
E
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
120
160
200
Q
G
, Gate Charge (nC)
V
G
I
CP
=40A
V
CE
=360V
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
V
GE
, Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
T
A
=25
o
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP2N7002K | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP30G120W | N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| AP30N30W | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP3302H | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP3302J | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AP28G45GEO-HF | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| AP28K72A8BJE6S5 | 制造商:ATP Electronics Inc 功能描述:1GB DDR2-667 FBDIMM 128X8 SINGLE-RANK - Bulk |
| AP2911 | 制造商:JAMECO RELIAPRO 功能描述:POWER SUPPLY, WALL ADAPTER/TRANSFORMER 1.8 WATT,9VDC,200MA,F |
| AP2C000SZBE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Industrial Pushbutton Switch |
| AP2C001SZBE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Industrial Pushbutton Switch |
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