參數(shù)資料
型號(hào)： AOI403
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： GREEN, TO-251A, IPAK-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 505K
代理商： AOI403
AOD403/AOI403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
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(W
)
T
CASE (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note F)
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(A
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CASE (°
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0.1
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P
o
w
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r
(W
)
Pulse Width (s)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
T
A=25°C
10.0
100.0
1000.0
1
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-I
A
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(A
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P
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k
A
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a
la
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h
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C
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rr
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n
t
Time in avalanche, t
A (ms)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
(Note C)
T
A=25°C
T
A=150°C
T
A=100°C
T
A=125°C
18
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0.001
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Z
θθθθJ
A
N
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T
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T
h
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R
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s
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n
c
e
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Single Pulse
D=T
on/T
T
J,PK=TA+PDM.Z
θJA.RθJA
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0
30
60
90
120
150
0
25
50
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100
125
150
175
P
o
w
e
r
D
is
s
ip
a
ti
o
n
(W
)
T
CASE (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note F)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
25
50
75
100
125
150
175
C
u
rr
e
n
t
ra
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g
I D
(A
)
T
CASE (°
°°°C)
Figure 14: Current De-rating (Note F)
1
10
100
1000
10000
0.00001
0.001
0.1
10
1000
P
o
w
e
r
(W
)
Pulse Width (s)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
T
A=25°C
RθJA=50°C/W
10.0
100.0
1000.0
1
10
100
1000
-I
A
R
(A
)
P
e
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k
A
v
a
la
n
c
h
e
C
u
rr
e
n
t
Time in avalanche, t
A (ms)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
(Note C)
T
A=25°C
T
A=150°C
T
A=100°C
T
A=125°C
Rev 8: May 2011
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD403 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AOI472A 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AOL1426 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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AOI4102 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOI4126 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.5A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOI4130 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6.5A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOI4144 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
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