參數(shù)資料
型號： AOD4184
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 50 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： GREEN, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： AOD4184
AOD4184/AOI4184
40V N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V)
50A
RDS(ON) (at VGS=10V)
< 8m
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)
< 11m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJC
120
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
Parameter
Typ
Max
TC=25°C
2.3
25
TC=100°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 175
°C
Thermal Characteristics
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
°C/W
RθJA
18
44
22
V
±20
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
40
The AOD4184/AOI4184 used advanced trench technology
and design to provide excellent RDS(ON) with low gate
charge. With the excellent thermal resistance of the DPAK
package, those devices are well suited for high current
load applications.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
40V
Avalanche energy L=0.1mH
C
mJ
Avalanche Current
C
5
Continuous Drain
Current
61
6.5
A
35
A
TA=25°C
IDSM
A
TA=70°C
ID
50
40
TC=25°C
TC=100°C
Power Dissipation
B
PD
W
Power Dissipation
A
PDSM
W
TA=70°C
50
1.5
TA=25°C
Maximum Junction-to-Case
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
2.4
55
3
G
D
S
TO252
DPAK
TopView
Bottom View
G
S
D
G
S
D
G
D
S
D
Top View
Bottom View
TO-251A
IPAK
Rev0 : April 2009
www.aosmd.com
Page 1 of 6
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PDF描述
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參數(shù)描述
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