參數(shù)資料
型號(hào)： AOD403
廠商： ALPHA
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 155K
代理商： AOD403
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
13
39
0.56
Max
20
50
1.5
R
θ
JL
A
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
120
100
50
2.5
1.6
mJ
Maximum Junction-to-Case
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±25
-85
-65
-200
-30
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
C
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
B,G
Drain-Source Voltage
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
Maximum
-30
Units
T
A
=25°C
G
T
A
=100°C
B
W
A
P
D
°C
-55 to 175
I
D
W
AOD403
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -85A (V
GS
= -20V)
R
DS(ON)
< 6m
(V
GS
= -20V)
R
DS(ON)
< 7.6m
(V
GS
= -10V)
General Description
The AOD403 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and low
gate resistance. With the excellent thermal resistance
of the DPAK package, this device is well suited for
high current load applications.
Standard Product
AOD403 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AOD403L is a Green Product
ordering option. AOD403 and AOD403L are
electrically identical.
G D S
TO-252
D-PAK
Top View
Drain Connected
to Tab
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD403L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD404 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD404L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD406 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD406L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AOD403_030 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），70A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 20A，20V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
AOD403_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET
AOD403_13 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET
AOD403_DELTA 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），70A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 20A，20V 工作溫度:-55°C ~ 155°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
AOD403L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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