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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AOB416 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | AOB416 |
AOB416
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
I
D
(
V
GS
=3V
10V
3.5V
4.5V
0
10
20
30
40
50
60
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
20
40
60
80
100
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
I
S
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
2
4
6
8
10
12
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=30A
25°C
125°C
I
D
=30A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOB416L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB418 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB418L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB428 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB428L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AOB416_09 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
| AOB416L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB418 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOB4184 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 12A TO263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOB4184L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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