參數(shù)資料
型號： AO8816L
廠商： ALPHA
英文描述： Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 常見的漏雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 114K
代理商： AO8816L
AO8816
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0.73
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
(
s
V
DS
=15V
I
D
=8A
0
400
800
1200
1600
2000
0
5
15
20
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
)
C
iss
C
rss
C
oss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
T
on
T
P
D
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=83°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
AO8818 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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AO8820_12 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET
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