參數(shù)資料
型號： AO4400
廠商： ALPHA
英文描述： LJT 55C 55#22D PIN RECP
中文描述： 的P -溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 359K
代理商： AO4400
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
31
59
16
Max
40
75
24
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±12
-6.1
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
-30
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-5.1
-60
3
2.1
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO4401
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
July 2001
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -6.1 A
R
DS(ON)
< 46m
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 61m
(V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 117m
(V
GS
= -2.5V)
General Description
The AO4401 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
SOIC-8
Top View
G
D
S
G
S
S
S
D
D
D
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4401 LJT 55C 55#22D SKT RECP
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AO4404AL N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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