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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F400BT-90EF |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:4Mbit; Package/Case:48-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:90ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142BDD, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 24/43頁 |
| 文件大小： | 856K |
| 代理商： | AM29F400BT-90EF |
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28
Am29F400B
21505E8 November 11, 2009
D A TA
SH EE T
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-45
-50
-55
-70
-90
Unit
tELFL/tELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
5
ns
tFLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
15
20
ns
tFHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
45
50
55
70
90
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
CE#
OE#
BYTE#
tELFL
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
tFLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
BYTE#
tELFH
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
tFHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
Figure 11.
BYTE# Timings for Read Operations
Note:
Refer to the Erase/Program Operations table for tAS and tAH specifications.
Figure 12.
BYTE# Timings for Write Operations
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
tHOLD (tAH)
tSET
(tAS)
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