型號(hào): | AH211Z4-BE1 |
廠商: | BCD Semiconductor Manufacturing Limited |
英文描述: | TWO PHASE HALL EFFECT LATCH WITH FG OUTPUT |
中文描述: | 兩相霍爾效應(yīng)鎖存蛋白原輸出 |
文件頁(yè)數(shù): | 6/11頁(yè) |
文件大小: | 202K |
代理商: | AH211Z4-BE1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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AH266_07 | HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH |
AH266 | HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH |
AH266Z4-AE1 | HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH |
AH266Z4-BE1 | HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH |
AH266Z4-E1 | HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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AH211Z4-BG1 | 功能描述:IC HALL SWITCH 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 功能:卡銷(xiāo) 技術(shù):霍爾效應(yīng) 極化:南極 感應(yīng)范圍:9mT 跳閘,-9mT 釋放 測(cè)試條件:25°C 電壓 - 電源:3.5 V ~ 16 V 電流 - 電源(最大值):8mA 電流 - 輸出(最大值):400mA 輸出類(lèi)型:開(kāi)路集電極 特性:溫度補(bǔ)償 工作溫度:-20°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:4-SIP 供應(yīng)商器件封裝:TO-94 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
AH212 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:1 Watt High Linearity, High Gain InGaP HBT Amplifier |
AH212EG | 制造商:TriQuint Semiconductor 功能描述:RF & MW DRIVER AMPLIFIER |
AH212-EG | 功能描述:射頻放大器 1800-2400MHz 26dB Gain RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
AH212-EGPCB1960 | 功能描述:射頻開(kāi)發(fā)工具 1960MHz Eval Brd 27dB Gain RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類(lèi)型:Wireless Audio 工具用于評(píng)估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V |