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參數(shù)資料
| 型號： | AD8667ARZ-REEL |
| 廠商： | Analog Devices Inc |
| 文件頁數(shù)： | 11/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R CMOS DUAL 8SOIC |
| 標準包裝： | 2,500 |
| 系列： | DigiTrim® |
| 放大器類型： | 通用 |
| 電路數(shù)： | 2 |
| 輸出類型： | 滿擺幅 |
| 轉換速率： | 0.3 V/µs |
| 增益帶寬積： | 540kHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 0.3pA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 40µV |
| 電流 - 電源： | 230µA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 50mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 5 V ~ 16 V，±2.5 V ~ 8 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 8-SO |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
AD8667
Rev. 0 | Page 4 of 16
VS = 16 V, VCM = VS/2, TA = 25°C unless otherwise noted.
Table 2.
Parameter
Symbol
Test Conditions/Comments
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
VCM = 8 V
40
300
μV
40°C < TA < +125°C
350
μV
VCM = 0 V to 14.5 V
70
300
μV
40°C < TA < +85°C
450
μV
VCM = 0.2 V to 14.5 V, 40°C < TA < +125°C
450
μV
Input Bias Current
IB
0.3
pA
40°C < TA < +85°C
30
pA
40°C < TA < +125°C
250
pA
Input Offset Current
IOS
0.2
pA
40°C < TA < +85°C
25
pA
40°C < TA < +125°C
150
pA
Input Voltage Range
IVR
40°C < TA < +85°C
0
14.5
V
40°C < TA < +125°C
0.2
14.5
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
VCM = 0 V to 14.5 V
90
100
dB
VCM = 0.2 V to 14.5 V, 40°C < TA < +125°C
90
100
dB
Large Signal Voltage Gain
AVO
RL = 2 kΩ, VO = 0.5 V to 15.5 V
112
124
dB
Offset Voltage Drift
ΔVOS/ΔT
1.2
5
μV/°C
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
IL = 1 mA
15.8
15.9
V
IL = 10 mA
14.8
15.1
V
IL = 10 mA, 40°C < TA < +125°C
14.65
14.8
V
Output Voltage Low
VOL
IL = 1 mA
80
100
mV
IL = 10 mA
600
720
mV
IL = 10 mA, 40°C < TA < +125°C
800
900
mV
Short-Circuit Current
ISC
±50
mA
Closed-Loop Output Impedance
ZOUT
f = 100 kHz, AV = 1
100
Ω
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VS = 5 V to 16 V, 40°C < TA < +125°C
95
105
dB
Supply Current/Amplifier
ISY
230
285
μA
40°C < TA < +125°C
325
μA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 2 kΩ
0.3
V/μs
Settling Time
tS
To 0.1%, 0 V to 2 V step
12
μs
Gain Bandwidth Product
GBP
600
kHz
Phase Margin
ΦM
60
Degrees
NOISE PERFORMANCE
Peak-to-Peak Noise
en p-p
f = 0.1 Hz to 10 Hz
3
μV p-p
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
23
nV/√Hz
f = 10 kHz
21
nV/√Hz
Current Noise Density
in
f = 1 kHz
0.05
pA/√Hz
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