@ +25°C, VS = ±15 V, R ≥ 2 k, un" />
參數(shù)資料
型號： AD632BHZ
廠商： Analog Devices Inc
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MULTIPLIER TRIMMED TO100-10
標準包裝： 1
功能： 模擬乘法器/除法器
位元/級數(shù)： 四象限
封裝/外殼： TO-100-10 金屬罐
供應商設備封裝： TO-100-10
包裝： 管件
Data Sheet
AD632
Rev. D | Page 3 of 12
SPECIFICATIONS
@ +25°C, VS = ±15 V, R ≥ 2 k, unless otherwise noted. Specifications shown in boldface are tested on all production units at final
electrical test. Results from those tests are used to calculate outgoing quality levels.
Table 1.
AD632A
AD632B
AD632S
AD632T
Parameter
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Units
MULTIPLIER PERFORMANCE
Transfer Function
2
1
2
1
Z
Y
X
+
V
10
)
(
)
(
2
1
2
1
Z
Y
X
+
V
10
)
(
)
(
2
1
2
1
Z
Y
X
+
V
10
)
(
)
(
2
1
2
1
Z
Y
X
+
V
10
)
(
)
(
Total Error1 (10 V ≤ X, Y ≤ +10
V)
±1.0
±0.5
±1.0
±0.5
%
TA = Min to Max
±1.5
±1.0
±2.0
±1.0
%
Total Error vs. Temperature
±0.022
±0.015
±0.02
±0.01
%/°C
Scale Factor Error
(SF = 10,000 V Nominal)2
±0.25
±0.1
±0.25
±0.1
%
Temperature Coefficient of
Scaling Voltage
±0.02
±0.01
±0.2
±0.005
%/°C
Supply Rejection (±15 V ± 1 V)
±0.01
%
Nonlinearity
X (X = 20 V p-p, Y = 10 V)
±0.4
±0.2
±0.3
±0.4
±0.2
±0.3
%
Y (Y = 20 V p-p, X = 10 V)
±0.2
±0.1
±0.2
±0.1
%
Feedthrough3
X (Y Nulled, X = 20 V p-p 50 Hz)
±0.3
±0.15
±0.3
±0.15
±0.3
%
Y (X Nulled, Y = 20 V p-p 50 Hz)
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
%
Output Offset Voltage
±5
±30
±2
±15
±5
±30
±2
±15
mV
Output Offset Voltage Drift
200
100
500
300
V/°C
DYNAMICS
Small Signal BW, (VOUT = 0.1 rms)
1
MHz
1% Amplitude Error
(CLOAD = 1000 pF)
50
kHz
Slew Rate (VOUT 20 p-p)
20
V/s
Settling Time (to 1%, ΔVOUT = 20 V)
2
s
NOISE
Noise Spectral Density
SF = 10 V
0.8
V/√Hz
SF = 3 V4
0.4
V/√Hz
Wideband Noise
A = 10 Hz to 5 MHz
1.0
mV/rms
P = 10 Hz to 10 kHz
90
V/rms
OUTPUT
Output Voltage Swing
±11
V
Output Impedance (f ≤ 1 kHz)
0.1
Output Short-Circuit Current
(RL = 0, TA = Min to Max)
30
mA
Amplifier Open-Loop Gain
(f = 50 Hz)
70
dB
INPUT AMPLIFIERS (X, Y, and Z)5
Signal Voltage Range
(Differential or Common-
Mode Operating Diff.)
±10
±12
±10
±12
±10
±12
±10
±12
V
Offset Voltage X, Y
±5
±20
±2
±10
±5
±20
±2
±10
mV
Offset Voltage Drift X, Y
100
50
100
150
V/°C
Offset Voltage Z
±5
±30
±2
±15
±5
±30
±2
±15
mV
Offset Voltage Drift Z
200
100
500
300
V/°C
CMRR
60
80
70
90
60
80
70
90
dM
Bias Current
0.8
2.0
0.8
2.0
0.8
2.0
0.8
2.0
A
Offset Current
0.1
A
Differential Resistance
10
M
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