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參數(shù)資料
| 型號： | A43E16161 |
| 廠商： | AMIC Technology Corporation |
| 英文描述： | 1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16位× 2銀行低功耗同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 28/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 1314K |
| 代理商： | A43E16161 |
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A43E16161
PRELIMINARY (August, 2005, Version 0.0)
27
AMIC Technology, Corp.
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
High
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BA
Row Active with
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
: Don't care
RAa
CAa
A10/AP
CBb
Write
(B-Bank)
Row Active
(B-Bank)
RBb
CAc
RAa
RBb
WE
DBb1
DBb0
DAa0 DAa1
DAa2
DAa3
DBb2
DBb3
DAc0
DAc1
Write
(A-Bank)
Precharge
(Both Banks)
DQM
DQ
t
CDL
DBd0
DBd1
*Note 2
CBd
t
RDL
*Note 1
Write
(B-Bank)
* Note:
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A43E16161V | 1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43E16161V-75F | 1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43E16161V-75UF | 1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43E16161V-95F | XTAL MTL SMT HC49/USM |
| A43E16161V-95UF | 1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A43E16161V | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43E16161V-75F | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43E16161V-75UF | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43E16161V-95F | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43E16161V-95UF | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
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