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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | A43E06161V-95U |
| 廠(chǎng)商： | AMIC Technology Corporation |
| 英文描述： | 512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 16位× 2銀行同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/46頁(yè) |
| 文件大小： | 1289K |
| 代理商： | A43E06161V-95U |
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A43E06161
PRELIMINARY (July, 2005, Version 0.1)
26
AMIC Technology, Corp.
Page Read Cycle at Different Bank @Burst Length = 4
* Note : 1.
CS
can be don’t care when
RAS
,
CAS
and
WE
are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read ad the precharge banks must be the same.
High
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BA
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
: Don't care
RAa
CAa
A10/AP
CBb
Read
(B-Bank)
Row Active
(B-Bank)
*Note 1
*Note 2
RBb
CAc
CBd
CAe
RAa
RBb
WE
DQM
QBb1
QBb0
QAa0 QAa1 QAa2
QAa3
QBb2 QBb3 QAc0
QAc1
QBd0 QBd1 QAe0 QAe1
QBb1
QBb0
QAa0 QAa1 QAa2
QAa3
QBb2 QBb3 QAc0
QAc1
QBd0 QBd1 QAe0 QAe1
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
DQ
(CL=2)
DQ
(CL=3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A43E06161V-95UF | 512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
| A43E06321G-75F | General Purpose |
| A43E06321G-75UF | 512K X 32 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43E06321G-95F | 512K X 32 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43E06321G-95UF | 512K X 32 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A43E06161V-95UF | 制造商:AMICC 制造商全稱(chēng):AMIC Technology 功能描述:512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
| A43E0616G-75I | 制造商:AMICC 制造商全稱(chēng):AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43E0616G-95I | 制造商:AMICC 制造商全稱(chēng):AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43E0616V-75I | 制造商:AMICC 制造商全稱(chēng):AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43E0616V-7I | 制造商:AMICC 制造商全稱(chēng):AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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