Revision 11 2-61 Figure 2-28 RAM Write, Output Retained. Applicable to both RAM4K9 and RAM512x18. Figure 2-29" />
參數(shù)資料
型號(hào)： A3PN125-Z2VQG100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 88/114頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 125000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano Flash FPGAs
Revision 11
2-61
Figure 2-28 RAM Write, Output Retained. Applicable to both RAM4K9 and RAM512x18.
Figure 2-29 RAM Write, Output as Write Data (WMODE = 1). Applicable to both RAM4K9 only.
tCYC
tCKH
tCKL
A0
A1
A2
DI0
DI1
tAS
tAH
tBKS
tENS
tENH
tDS
tDH
CLK
BLK
WEN
[R|W]ADDR
DIN|WD
Dn
DOUT|RD
tBKH
D2
tCYC
tCKH
tCKL
A0
A1
A2
DI0
DI1
tAS tAH
tBKS
tENS
tDS tDH
CLK
BLK
WEN
ADDR
DIN
tBKH
DOUT
(pass-through)
DI1
Dn
DI0
DOUT
(pipelined)
DI0
DI1
Dn
DI2
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PDF描述
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參數(shù)描述
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