AUIRF7342Q

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功能描述
MOSFET AUTO -55V 1 N-CH HEXFET 105mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRF7342Q 技術(shù)參數(shù)

AUIRF7341QTR 功能描述:MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 5.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:780pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AUIRF7341Q 功能描述:MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 5.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:780pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7319QTR 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.5A，4.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:29 毫歐 @ 5.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:650pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRF7319Q 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.5A，4.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:29 毫歐 @ 5.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:650pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7316QTR 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 4.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:710pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRF7484QTR AUIRF7640S2TR AUIRF7647S2TR AUIRF7648M2TR AUIRF7665S2TR AUIRF7669L2TR AUIRF7675M2TR AUIRF7732S2TR AUIRF7734M2TR AUIRF7736M2TR AUIRF7737L2TR AUIRF7738L2TR AUIRF7739L2TR AUIRF7749L2TR AUIRF7759L2TR AUIRF7769L2TR AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q