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AUIRF7665S2TR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • AUIRF7665S2TR
    AUIRF7665S2TR

    AUIRF7665S2TR

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • INFINEON/英飛凌

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠，正品保證

  • AUIRF7665S2TR
    AUIRF7665S2TR

    AUIRF7665S2TR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15610

  • INTERNATI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • AUIRF7665S2TR
    AUIRF7665S2TR

    AUIRF7665S2TR

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共17條 
  • 1
AUIRF7665S2TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRF7665S2TR 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRF7648M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 179A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta），68A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 41A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.9V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2170pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 M4 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? M4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,800 AUIRF7647S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.9A（Ta），24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:31 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:910pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 SC 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? SC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,800 AUIRF7640S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.8A（Ta），21A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:450pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 SB 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET SB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AUIRF7484QTR 功能描述:MOSFET N CH 40V 14A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 14A，7V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 7V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 AUIRF7484Q 功能描述:MOSFET N CH 40V 14A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 14A，7V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 7V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 AUIRF7759L2TR AUIRF7769L2TR AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409
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