AUIRF7309Q

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2/2頁 40條/頁共47條
上一頁 1 2

您是不是要找： AUIRF7309QTR AUIRF7313Q AUIRF7313QTR AUIRF7316Q AUIRF7316QTR AUIRF7319Q AUIRF7319QTR AUIRF7341Q AUIRF7341QTR

AUIRF7309Q PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AUIRF7309Q PDF下載

功能描述
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 50mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRF7309Q 技術參數(shù)

AUIRF7304QTR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:610pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRF7304Q 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:610pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7303QTR 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 2.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:515pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRF7303Q 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 2.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:515pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7207QTR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 5.4A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:780pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRF7342Q AUIRF7342QTR AUIRF7343Q AUIRF7343QTR AUIRF7379Q AUIRF7379QTR AUIRF7416QTR AUIRF7478Q AUIRF7478QTR AUIRF7484Q AUIRF7484QTR AUIRF7640S2TR AUIRF7647S2TR AUIRF7648M2TR AUIRF7665S2TR AUIRF7669L2TR AUIRF7675M2TR AUIRF7732S2TR