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ATP202-TL-H

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
ATP202-TL-H PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET SWITCHING DEVICE
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ATP202-TL-H 技術(shù)參數(shù)
  • ATP201-V-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP201-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):985pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP114-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):55A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 28A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):92nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4000pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP113-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):29.5 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP112-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):43 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1450pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP214-TL-H ATP216-TL-H ATP218-TL-H ATP2PS-CKIT ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT ATP602-TL-H ATP613-TL-H ATPANCOORDINATOR-EK ATPH18500150SET ATPH18500200SET ATPH18650200SET
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