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ATP613-TL-H

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • ATP613-TL-H
    ATP613-TL-H

    ATP613-TL-H

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON SEMICO

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • ATP613-TL-H
    ATP613-TL-H

    ATP613-TL-H

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6755

  • ON Semiconductor

  • ATPAK（2 引線 + 接片）

  • 201321

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存。400-800-03...

  • ATP613-TL-H
    ATP613-TL-H

    ATP613-TL-H

  • 深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司
    深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司

    聯(lián)系人：曾小姐

    電話：0755-2330298015814019597

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格科技園4棟西10樓C052房間

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 12500

  • onsemi

  • ATPAK

  • 2023+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨，假1罰100

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
ATP613-TL-H PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
ATP613-TL-H 技術(shù)參數(shù)
  • ATP602-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.7 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:350pF @ 30V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP4PS-CKIT 功能描述:4 Position Rectangular Plug and Receptacle Connector Crimp 12-14 AWG 制造商:amphenol sine systems corp 系列:ATP 系列? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 連接器類型:插頭和插座 觸頭類型:母插口；公插腳 針腳數(shù):4 間距:- 排數(shù):2 排距:- 安裝類型:自由懸掛 緊固類型:銷鎖 電纜端接:壓接 線纜類型:離散式 線規(guī):12-14 AWG 特性:楔形鎖 觸頭鍍層:- 觸頭鍍層厚度:- 顏色:灰 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 ATP405-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 20V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP404-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 48A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6400pF @ 20V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP404-H-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATPL100A-AZU-Y ATPL100AEK ATPL100DK-99 ATPL100SK-99 ATPL10SFLT-99 ATPL210A-A1U-Y ATPL210DK-99 ATPL210SK-99 ATPL21SFLT-99 ATPL21SFPR-99 ATPL220A-A1U-Y ATPL230A-AKU-R ATPL230A-AKU-Y ATPL230A-EK ATPL230AG55J19-R ATPL250A-AKU-R ATPL250A-AKU-Y ATPL250A-EK
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