APT60D120BG

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功能描述
DIODE ULT FAST 60A 1200V TO-247
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
100
系列
-
二極管類型
標(biāo)準(zhǔn)
電壓 - (Vr)（最大）
50V
電流 - 平均整流 (Io)
6A
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢復(fù) = 200mA（Io）
反向恢復(fù)時間(trr)
300ns
電流 - 在 Vr 時反向漏電
15µA @ 50V
電容@ Vr, F
-
安裝類型
底座，接線柱安裝
封裝/外殼
DO-203AA，DO-4，接線柱
供應(yīng)商設(shè)備封裝
DO-203AA
包裝
散裝
其它名稱
*1N3879

APT60D120BG 技術(shù)參數(shù)

APT60D100SG 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 60A Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.5V @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:280ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:250μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應(yīng)商器件封裝:D3 [S] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT60D100LCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V (1kV) 60A Through Hole TO-264-3, TO-264AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.5V @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:280ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:250μA @ 1000V 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT60D100BG 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 60A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.5V @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:280ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:250μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT6040BNG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT6040BN 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT60DF100HJ APT60DF120HJ APT60DF20HJ APT60DF60HJ APT60DQ100BG APT60DQ100LCTG APT60DQ120BG APT60DQ120LCTG APT60DQ60BCTG APT60DQ60BG APT60DS04HJ APT60DS10HJ APT60DS20HJ APT60GA60JD60 APT60GF120JRDQ3 APT60GF60JU2 APT60GF60JU3 APT60GT60BRG